<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"><channel><title>电源 | 雷姬家的阁楼书架</title><description>Reki的轻博客, 日常生活流水帐和信息见闻&amp;吐槽. 你将在本频道看到包括且不限于以下话题：菜菜程序员屎山遨游见闻猎人 · 特工 · 提督 · 雀士 · 猎魔人 · 开位御主 · 期间限定回归二五仔毒奶观测者刀客塔沉船记录财经新闻胡乱精选生草新闻摘抄 &amp; 分享频道主突发恶疾</description><link>https://broadcastchannel-c3j.pages.dev</link><item><title>英特尔演示新的芯片背面供电技术2023-06-12 19</title><link>https://broadcastchannel-c3j.pages.dev/posts/18353</link><guid isPermaLink="true">https://broadcastchannel-c3j.pages.dev/posts/18353</guid><pubDate>Tue, 13 Jun 2023 05:15:27 GMT</pubDate><content:encoded>&lt;a href=&quot;https://www.solidot.org/story?sid=75225&quot; target=&quot;_blank&quot;&gt;&lt;b&gt;英特尔演示新的芯片背面供电技术&lt;/b&gt;&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;2023-06-12 19:20:00 by 团圆奇遇&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;英特尔计划在明年推出名为 RibbonFET 的新晶体管技术，以及新的供电方法 PowerVia。PowerVia 是英特尔版本的背面供电技术。今天的芯片是在正面将晶体管与供电和数据传输互连在一起，而背面供电将所有供电互连转移到芯片背面。这会产生两个影响，其一是为正面的数据互连留出了更多空间，其二是供电互连可以更大因此电阻更小。英特尔测试了由当前一代的晶体管和 PowerVia 组合的处理器内核，显示内核频率提升逾 6%，设计更紧凑，功耗降低 30%。过去几代的英特尔芯片在功耗效率上都落后于竞争对手，如 AMD 使用台积电 7 纳米和 5 纳米工艺制造的芯片。&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;a href=&quot;https://spectrum.ieee.org/backside-power-delivery&quot; target=&quot;_blank&quot;&gt;https://spectrum.ieee.org/backside-power-delivery&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;a href=&quot;/search/%23%E7%94%B5%E6%BA%90&quot;&gt;#电源&lt;/a&gt;</content:encoded></item></channel></rss>